сегодня: 22.11.2019

[сделать стартовой]

Рубрики
Общество
Экономика
Политика
Спорт
Наука
Культура
Образование
Здравоохранение
Информационные технологии
Силовые структуры
Криминал
Происшествия
Экология
Недвижимость
Нск-риэлт
Байкал
Национальные проекты
Лес - богатство Сибири
Нефть и газ Сибири
Сибирский уголь
Научно-технический прогресс
Сибиряки
Мир вокруг нас
Интервью
Актуально

Сибирский федеральный округ
Реклама


Наука и жизнь

Луна образовалась в результате ядерного взрыва


Видеокамеры для "супермена"


"Конец света" в прямом смысле слова


Земные океаны и атмосфера появились благодаря метеоритной бомбардировке


Солнце на Земле


Искусственный интеллект совсем рядом



ТОП-20 инженерных чудес света



Четвероногий друг


Новости Байкала

2018-07-28 15:45:00 /РИА "Сибирь" /Томск

Томские ученые-физики разрабатывают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

*      Новые технологии    





Ученые Томского госуниверситета совместно со специалистами акционерного общества "НПФ "Микран" создают технологию промышленного производства тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур для изделий гражданского, оборонного и космического назначения. В частности, разрабатываются мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor) для осуществления сотовой, спутниковой и радиосвязи на высоких частотах.

Как сообщили в пресс-службе ТГУ, проект поддержан технологическими платформами "Национальная информационная спутниковая система" и "Национальная космическая технологическая платформа".

"Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры, - говорит научный руководитель проекта, директор центра "Наноэлектроника", профессор кафедры физики полупроводников ТГУ Валентин Брудный. - Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкопленочные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счет нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались.

По словам Валентина Брудного, сейчас для производства мощных транзисторов с высокой подвижностью электронов применяются, главным образом, такие полупроводники, как GaAs, InAs, GaSb. Они обеспечивают высокие рабочие частоты, но имеют малые выходные мощности из-за особенностей их электронных свойств.

Применение полупроводниковых нитридов для производства мощных транзисторов с высокой подвижностью электронов и, в частности, гетероструктуры InAlN/GaN позволит увеличить их удельную мощность, повысить термическую стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.

В процессе изготовления мощных транзисторов с высокой подвижностью электронов летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Суммарная толщина всех слоев составит несколько микрометров (1 мкм=10-6 метра), что в десятки раз меньше диаметра человеческого волоса.

Работы по созданию мощных транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры InAlN/GaN начаты в ряде фирм во всем мире, но их промышленное производство в настоящее время отсутствует.

По окончании проекта Томский госуниверситет должен подготовить технологическую документацию для передачи индустриальному партнеру - НПФ "Микран", который приступит к промышленному выпуску таких мощных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Компания является одной из наиболее динамично развивающихся высокотехнологичных предприятий в России.

Добавим, что ПНИЭР "Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения" осуществляется в рамках федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы".

Сумма разработки - 300 млн рублей, из которых 150 млн - субсидия от Минобрнауки РФ, вторая половина -вложениеиндустриального партнера. Окончание работ намечено на декабрь 2019 года.

 

Источник: http://xn--80apbncz.xn--p1ai/nauka/38560Все



Cмотрите также:  Наука  Томская область
Архив
пн вт ср чт пт сб вск
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 
Поиск по сайту
Что? Где? Когда?
***

28-29 ноября 2019 года пройдет международный форум "Омская область и соотечественники: 10 лет вместе"

**
Сохраним Байкал!

Экологический кризис на Байкале: новый эпизод с сине-зелеными водорослями
Все о клещах

Новосибирские ученые: как уберечься от заболеваний, переносимых клещами

Планета Земля

2036 год: Апофеоз или Апокалипсис?


Катастрофы: возможность или неизбежность
О проекте Контакты Партнеры  
Rambler's Top100
Copyright © 2004-2009, РИА "Сибирь"
E-mail: rian@cn.ru
Телефон: 8(383) 214-20-12