сегодня: 21.10.2019

[сделать стартовой]

Рубрики
Общество
Экономика
Политика
Спорт
Наука
Культура
Образование
Здравоохранение
Информационные технологии
Силовые структуры
Криминал
Происшествия
Экология
Недвижимость
Нск-риэлт
Байкал
Национальные проекты
Лес - богатство Сибири
Нефть и газ Сибири
Сибирский уголь
Научно-технический прогресс
Сибиряки
Мир вокруг нас
Интервью
Актуально

Сибирский федеральный округ
Реклама


Наука и жизнь

Луна образовалась в результате ядерного взрыва


Видеокамеры для "супермена"


"Конец света" в прямом смысле слова


Земные океаны и атмосфера появились благодаря метеоритной бомбардировке


Солнце на Земле


Искусственный интеллект совсем рядом



ТОП-20 инженерных чудес света



Четвероногий друг


Новости Байкала

2019-10-02 11:14:00 /РИА "Сибирь" /Новосибирск

В Новосибирске запущено первое в России промпроизводство наногетероструктур




Акционерное общество "Экран-оптические системы" (актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка "Экран"), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии, в рамках запуска первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия. Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник – средства акционера и заемные.

Как сообщил генеральный директор АО "Экран - оптические системы" Андрей Гугучкин, производительность установки фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке Института физики полупроводников СО РАН, до 10 тыс пластин GaAs* в год.

В настоящее время "Экран - оптические системы" - единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-

компонентной базы - сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

"При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ, - говорит Андрей Гугучкин. - Сотрудничество с учеными - уникальный пример синергии науки и частного бизнеса. Мы не руководствуемся сиюминутной выгодой, а демонстрируем государственный подход к решению бизнес-задач: занимаемся сложной темой, необходимой для развития микроэлектроники - технологической основы рынков и продуктов цифровой эпохи. Именно те страны, в которых эта отрасль базовая, являются локомотивами мировой экономики".

По словам Андрея Гугучкина, наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ггц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники.

"Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года, - поясняет Андрей Гугучкин. - ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы - до 20-25
Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем - ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений – примерно 1 млрд рублей.

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа - до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего - до 3 млрд рублей. АО "Экран - оптические системы" намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их, отметили в пресс-службе компании..

Справка.

АО "Экран - оптические системы" - один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом "ЭОС" работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%.

________

* Химическая формула арсенида галлия – GaAs.
** Бинарные соединения элементов III и V групп периодической системы, являющиеся
Полупроводниками.
*** Химическая формула нитрида галлия - GaN.



Cмотрите также:  Экономика  Новосибирская область
Архив
пн вт ср чт пт сб вск
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
Поиск по сайту
Что? Где? Когда?
******

С 22 по 25 октября 2019 года в наукограде Кольцово пройдут конференция и форум "OpenBio-2019"

*****

25-26 октября в Иркутске пройдет международный форум по сохранению деревянного зодчества

*****

С 29 октября по 1 ноября в Омске пройдет кинофестиваль документального кино "Сибирь"

***

28-29 ноября 2019 года пройдет международный форум "Омская область и соотечественники: 10 лет вместе"

**
Сохраним Байкал!

Экологический кризис на Байкале: новый эпизод с сине-зелеными водорослями
Все о клещах

Новосибирские ученые: как уберечься от заболеваний, переносимых клещами

Планета Земля

2036 год: Апофеоз или Апокалипсис?


Катастрофы: возможность или неизбежность
О проекте Контакты Партнеры  
Rambler's Top100
Copyright © 2004-2009, РИА "Сибирь"
E-mail: rian@cn.ru
Телефон: 8(383) 214-20-12